É comum, nos dias de hoje, nos depararmos com notícias sobre estudos e pesquisas a respeito de novos materiais capazes de substituir outros já utilizados no mundo eletrônico, como por exemplo, o gálio, que vem ganhando importância ao ser comparado ao silício, um mineral muito conhecido no campo da tecnologia.

De acordo com The Wall Street Journal, o gálio está presente na maioria dos displays e luzes de LED que fornecem grande parte de nossa iluminação nos ambientes internos. Pode ser encontrado também em antenas e carregamento de baterias, além de outros sistemas de conversão de energia conhecidos como “eletrônica de potência”.

O componente possibilita grande possibilidade de novas tecnologias, de telefones celulares com carregamento mais rápido, veículos elétricos mais leves e centros de dados mais eficientes em termos de energia que executam os serviços e aplicativos que usamos.

Seu potencial se torna maior ao ser combinado com o nitrogênio, resultando em nitreto de gálio (GaN), se tornando um cristal duro e valioso. Muitas coisas que temos acesso hoje em dia, são graças a presença dele, como pequenos carregadores USB-C com energia suficiente para alimentar laptop, tablet e celular simultaneamente.

Sobre a eletrônica de potência que converte um nível de tensão em outro também é fundamental para os veículos elétricos. Por serem mais leves, menores, mais eficientes e emitirem menos calor, esses veículos elétricos podem viajar mais longe com uma carga, afirma Jim Witham, presidente executivo da fabricante de chips GaN Systems.

Tais propriedades do GaN podem contribuir também para extrair mais eletricidade de fontes de energia renováveis, como painéis solares, por exemplo.

Porém, mesmo com tantas vantagens, o nitreto de gálio (GaN) enfrenta ainda grande concorrência com o silício e outros materiais que possuem potencial para revolucionar a eletrônica. Comparado ao famoso minério, o GaN é capaz de lidar com quantidades grandes de eletricidade com segurança, diz Rachel Oliver, professora de materiais e diretora da Nitride Center em Galio na Universidade de Cambridge.

Além disso, possui capacidade de operar em frequências muito mais altas do que é possível com o silício, permitindo carregadores muito menores que fornecem mais energia do que os tradicionais.

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